華測(cè)儀器HC600-190-P8電學(xué)探針溫控臺(tái)

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HC600-190-P8電學(xué)探針溫控臺(tái)由華測(cè)儀器生產(chǎn)，產(chǎn)品采用液氮致冷、電阻加熱的方式，實(shí)現(xiàn)-180~600℃（選型）或RT~1000℃（選型）范圍內(nèi)準(zhǔn)確控制，與其他電學(xué)儀表（如源表、萬(wàn)用表等）搭配集成，進(jìn)行變溫原位測(cè)試。產(chǎn)品需要與溫度調(diào)控器、制冷調(diào)控器（選配）配套使用，配套的的上位機(jī)溫控軟件方便進(jìn)行溫度設(shè)置及采集。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1.寬溫度范圍：-180 ~ 600℃ / RT~1000℃（選型）；

2.高溫度穩(wěn)定性：±0.1℃ / ±1.0℃；

3.氣密室：氣密腔室設(shè)計(jì)，可升級(jí)真空腔室（10-3 mBar）；

4.溫度分辨率：0.1 ℃；

5.升降溫速度：0 ~ 30℃/min；

6.多種選擇：多款探針及接口選擇；

應(yīng)用領(lǐng)域

半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試

可表征半導(dǎo)體材料（如硅基、化合物半導(dǎo)體）在不同溫度下的電學(xué)性能。

介電、鐵電與壓電材料研究

用于研究介電常數(shù)、鐵電滯回線、壓電響應(yīng)隨溫度變化的規(guī)律。

納米材料與低維結(jié)構(gòu)電學(xué)表征

如石墨烯、碳納米管、二維材料（MoS2、WS2等）在變溫環(huán)境下的導(dǎo)電性能測(cè)試。