Huace-1200G 真空晶圓退火爐：高真空下半導體晶圓高溫熱處理解決方案

華測儀器 Huace-1200G 真空晶圓退火爐，是為半導體晶圓高溫熱處理工藝而設計，設備可在高真空密閉腔體內完成退火、回火、晶化等熱處理工序，可減少樣品在高溫環境下發生氧化、表面污染等問題，保障材料處理后的電學與物理性能。

設備搭載高準度 PID 閉環溫度控制系統，溫度區間覆蓋室溫 RT~1200℃，升溫速率可達 100℃/s，控溫精度可達 ±1℃，可實現溫度均勻性，滿足半導體工藝對溫度穩定性、重復性的嚴苛要求。

真空系統由機械泵 + 分子泵組合構建，可實現10?3Pa~10??Pa高真空工作環境，減少空氣雜質干擾，為熱處理提供潔凈無氧工藝氛圍。硬件適配 6 寸標準半導體晶圓，同時兼容 150×150mm 規格方形試樣，樣品適配范圍廣。

該設備普遍適用于硅晶圓退火處理、半導體電子功能材料、陶瓷功能材料等多個研究與生產場景，可服務于實驗室新材料研發、小批量工藝試制，助力工藝人員開展材料改性、薄膜晶化等相關實驗與工藝驗證工作。