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  • Huace介質(zhì)絕緣性能劣化評(píng)估測(cè)試系統(tǒng)
    Huace介質(zhì)絕緣性能劣化評(píng)估測(cè)試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2026-03-25

    型號(hào):Huace

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    華測(cè)儀器介質(zhì)絕緣性能劣化評(píng)估測(cè)試系統(tǒng)通過(guò)在印刷電路板上施加固定的直流電壓,評(píng)估絕緣材料的劣化程度和離子遷移現(xiàn)象的影響。
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  • HCMP多通道介電絕緣電阻測(cè)試模塊
    HCMP多通道介電絕緣電阻測(cè)試模塊

    更新時(shí)間:2026-03-24

    型號(hào):HCMP

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    華測(cè)儀器HCMP多通道介電絕緣電阻測(cè)試模塊此測(cè)試模塊精度高、穩(wěn)定性強(qiáng)、實(shí)現(xiàn)智能化與自動(dòng)化、可靠耐用、模塊化設(shè)計(jì),可用于多通道介電與電阻測(cè)量,使其在材料科學(xué)、新能源、半導(dǎo)體領(lǐng)域中被普遍應(yīng)用。
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  • HuacePEA 空間電荷測(cè)試系統(tǒng)
    HuacePEA 空間電荷測(cè)試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2026-03-23

    型號(hào):Huace

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    華測(cè)儀器PEA 空間電荷測(cè)試系統(tǒng)電聲脈沖法是一種無(wú)損的空間電荷測(cè)量技術(shù),它用于描述聚合物絕緣材料內(nèi)部的空間電荷分布、積累及其整體行為。
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  • HC-RD-1100熱電材料Seebeck 系數(shù)電阻測(cè)試儀
    HC-RD-1100熱電材料Seebeck 系數(shù)電阻測(cè)試儀

    更新時(shí)間:2026-03-20

    型號(hào):HC-RD-1100

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    華測(cè)儀器HC-RD-1100熱電材料Seebeck 系數(shù)電阻測(cè)試儀測(cè)量半導(dǎo)體、方鈷礦等熱電材料的塞貝克系數(shù)與電導(dǎo)率,計(jì)算ZT值(熱電優(yōu)值);評(píng)估材料在高溫或特定環(huán)境(真空/還原氣氛)下的熱電轉(zhuǎn)換效率。
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  • Huace絕緣材料離子遷移評(píng)估系統(tǒng)
    Huace絕緣材料離子遷移評(píng)估系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2026-03-20

    型號(hào):Huace

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    華測(cè)儀器絕緣材料離子遷移評(píng)估系統(tǒng),離子遷移是電子設(shè)備失效機(jī)制之一,指電路板上的銅、銀、錫等金屬離子在高溫高濕及電場(chǎng)作用下發(fā)生離子化,通過(guò)絕緣層向另一極遷移,而導(dǎo)致絕緣性能下降、短路等故障。
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  • HCDJC-1F變頻耐壓擊穿試驗(yàn)系統(tǒng)
    HCDJC-1F變頻耐壓擊穿試驗(yàn)系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2026-04-07

    型號(hào):HCDJC-1F

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    華測(cè)儀器HCDJC-1F變頻耐壓擊穿試驗(yàn)系統(tǒng)可測(cè)試絕緣材料在變頻電壓工況下的擊穿強(qiáng)度、耐電壓時(shí)間等指標(biāo)。
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  • Huace多通道離子遷移評(píng)估系統(tǒng)
    Huace多通道離子遷移評(píng)估系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2026-03-19

    型號(hào):Huace

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    華測(cè)儀器多通道離子遷移評(píng)估系統(tǒng)離子遷移是指電路板上的金屬如銅、銀、錫等在一定條件下發(fā)生離子化并在電場(chǎng)作用下通過(guò)絕緣層向另一極遷移而導(dǎo)致絕緣性能下降。
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  • HCDJC-1F5kV變頻電壓擊穿試驗(yàn)儀
    HCDJC-1F5kV變頻電壓擊穿試驗(yàn)儀

    更新時(shí)間:2026-03-19

    型號(hào):HCDJC-1F

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    華測(cè)儀器HCDJC-1F 5kV變頻電壓擊穿試驗(yàn)儀是絕緣材料電氣性能檢測(cè)用升級(jí)設(shè)備,適配電力、電子、材料研發(fā)等行業(yè),可測(cè)試絕緣材料在變頻電壓工況下的擊穿強(qiáng)度、耐電壓時(shí)間等指標(biāo)。
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